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高吞吐量电子束量测设备在EUV光刻OPC建模与验证中的关键作用

全局数据规范：全篇所有量化数据须标注来源与时间口径；历史数据须真实可溯，预测性数据须注明推断依据与关键假设；多采用表格呈现数据与对比信息。

本报告说明

随着半导体制造工艺迈入3纳米及以下节点，极紫外（EUV）光刻技术已成为业界标准配置。然而，EUV光刻过程中的光学邻近效应校正（OPC）建模与验证，正面临前所未有的量测挑战。传统单束电子束量测设备在吞吐量上的瓶颈，严重制约了OPC模型的建立效率与验证精度。本报告聚焦高吞吐量多束电子束量测设备在捕捉亚纳米级线宽粗糙度（LWR）和大面积关键尺寸均匀性（CDU）方面的核心