CN119457117A 一种电子束选区熔化打印多孔薄壁结构制备方法 (北京科技大学).pdfVIP

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  • 2026-10-15 发布于重庆
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CN119457117A 一种电子束选区熔化打印多孔薄壁结构制备方法 (北京科技大学).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119457117A

(43)申请公布日2025.02.18

(21)申请号202411454237.7B33Y10/00(2015.01)

B33Y40/20(2020.01)

(22)申请日2024.10.17

B33Y70/00(2020.01)

(71)申请人北京科技大学

B22F10/62(2021.01)

地址100083北京市海淀区学院路30号

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