JEDEC JESD22 A102 中文版 半导体器件高温存储寿命试验标准.docxVIP

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  • 2026-10-16 发布于广东
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JEDEC JESD22 A102 中文版 半导体器件高温存储寿命试验标准.docx

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JEDECJESD22-A102中文版半导体器件无偏置高压蒸煮(PCT)试验标准

补充说明:JEDEC标准体系中,高温存储寿命HTSL对应的标准编号为JESD22-A103;JESD22-A102为Autoclave(PCT高压蒸煮,无偏置),属于水汽加速应力试验,行业经常发生编号混淆。

标准概述与行业背景

JEDECJESD22-A102E-2015《UnbiasedAutoclaveTest》无偏置高压蒸煮试验,隶属于JESD22封装器件可靠性测试方法系列,JC-14封装可靠性委员会编制。该标准针对非气密性塑封半导体器件,在密闭高压饱和水蒸气环境下开展加速应力测试,不施加任何电气偏置,用来评估封装抵御水汽侵入的能力,快速暴露塑封料、钝化层、封装界面、引线框架的防潮薄弱点。

试验腔体内部为121?℃、100%RH饱和蒸汽环境,压力约205?kPa,依靠高压饱和水汽强行渗透进入封装内部,诱发金属腐蚀、界面分层、钝化层缺陷相关失效。本试验全程不加电,只考核封装材料与界面的耐水汽能力,不考核带电工况下的电化学腐蚀;带电潮湿腐蚀需要使用B-HAST(JESD22-A110偏置高加速温湿度应力)或者THB(JESD22-A101温湿度偏置寿命)。

边界区分:JESD22-A102(PCT无偏置高压蒸煮)≠JESD22-A110(B-HAST带偏置HAST)≠JESD2

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