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半导体物理经典试题及答案整理

一、单选题（每题1分，共15分）

1.下列哪个物理量不是描述半导体材料能带结构的？（）

A.禁带宽度B.费米能级C.有效质量D.霍尔系数

【答案】D

【解析】霍尔系数是描述材料导电类型的物理量，不是能带结构描述。

2.纯净的硅晶体在室温下的主要载流子类型是（）

A.电子和空穴B.电子C.空穴D.离子

【答案】A

【解析】纯净半导体（本征半导体）中，电子和空穴成对产生，是主要载流子。

3.掺杂磷原子进入硅晶体中，形成的杂质能级位于（）

A.导带底B.价带顶C.禁带中间D.禁带底部

【答案】D

【解析】磷是施主杂质，其杂质能级位于禁带底部。

4.下列哪种材料是n型半导体？（）

A.掺入三价元素的硅B.掺入五价元素的锗C.本征硅D.掺入二价元素的碳

【答案】B

【解析】五价元素（如磷）作为施主掺杂形成n型半导体。

5.半导体的禁带宽度与哪些因素有关？（）

A.晶格常数B.温度C.杂质浓度D.以上都是

【答案】D

【解析】禁带宽度受晶格常数、温度、杂质浓度等多种因素影响。

6.下列哪个物理现象是半导体PN结形成的基础？（）

A.扩散B.漂移C.外电场作用D.以上都是

【答案】A

【解析】PN结形成主要基于载流子的扩散。

7.当外加电压使PN结正向偏置时，其耗尽层厚度将（）

A.变宽B.变窄C.不变D.消失

【答案】B

【解析】正向偏置使耗尽层变窄。

8.二极管