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- 2026-10-16 发布于广东
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JEDECJESD22-A117中文版非易失存储器擦写耐久与数据保持应力测试
标准概述与行业背景
JEDECJESD22-A117E-2018《ElectricallyErasableProgrammableROM(EEPROM)Program/EraseEnduranceandDataRetentionStressTest》,属于JESD22器件可靠性测试方法系列,JC-14.3非易失存储器委员会编制。标准最初面向EEPROM,也广泛用于NORFlash、嵌入式非易失存储器件,规定编程-擦除耐久(P/EEndurance)、断电数据保持(DataRetention)、交叉温度读写整套应力测试流程与操作规范。
擦写耐久考核存储单元在反复编程擦除循环下的退化;数据保持考核器件断电之后,浮栅/电荷俘获单元电荷流失,数据能够维持完整的能力;二者是非易失存储器两大核心可靠性指标。该标准不直接定义鉴定参数阈值,鉴定样本数量、循环次数、烘烤时长需要引用JESD47集成电路鉴定规范;也支持JESD94基于失效物理的知识驱动鉴定方式。
边界区分:
JESD22-A117侧重芯片级器件P/E耐久与数据保持应力试验方法;SSD系统级耐久使用JESD218、JESD219,二者不可互相替代。
本标准主要针对浮栅型EEPROM、NOR-Flash;新型存储(M
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