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电子元器件与材料·与信愿技术

P沟道VDMOS器件抗辐射加固技术分析

·王斌1，2，李孝权²，肖添？

1.中国电子科技集团公司第二十四研究所，重庆，400060

2.重庆中科渝芯电子有限公司，重庆，401332

摘要：在辐射条件下，P沟道VDMOS器件中的电子在辐射过程中会发生辐射跃迁，生成活性粒子（如质

子、中子等）。这些活性粒子会引起P沟道VDMOS器件的热效应与辐射损伤，从而影响器件的性能。热效应包

含热膨胀、热应力等：辐射损伤包括辐射引起的电学性能退化和物理损伤等。在P沟道VDMOS器件中，电子与

活性粒子之间会产生多粒子相互作用（如多粒子互穿、多粒子散射等），