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2026年电子学集成电路制造试题及答案

一、选择题（每题2分，共40分）

1.下列哪种半导体材料是目前集成电路制造中最常用的？

A.锗(Ge)

B.硅(Si)

C.砷化镓(GaAs)

D.碳化硅(SiC)

2.在集成电路制造中，光刻技术的主要作用是？

A.形成电路图形

B.沉积薄膜

C.掺杂半导体

D.形成绝缘层

3.下列哪种刻蚀技术具有各向异性特点？

A.湿法刻蚀

B.干法刻蚀

C.化学机械抛光

D.离子束刻蚀

4.在CMOS工艺中，P型衬底的制备通常采用哪种杂质元素？

A.磷(P)

B.硼(B)

C.砷(As)

D.锑(Sb)

5.下列哪种薄膜沉积技术适用于高深宽比结构的覆盖？

A.热氧化

B.物理气相沉积

C.化学气相沉积

D.原子层沉积

6.在集成电路制造中，离子注入的主要目的是？

A.形成导电层

B.控制半导体导电类型

C.形成绝缘层

D.表面清洁

7.下列哪种退火工艺主要用于激活离子注入后的杂质原子？

A.快速热退火

B.常规炉管退火

C.激光退火

D.微波退火

8.在现代集成电路中，铜互连技术取代铝互连的主要原因是？

A.铜