T∕CASAS 045-2025 SiC MOSFET动态栅偏(DGS)试验方法.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约1.49万字
  • 约 12页
  • 2026-10-20 发布于浙江
  • 举报

T∕CASAS 045-2025 SiC MOSFET动态栅偏(DGS)试验方法.pdf

ICS31.080.30

CCSL44

团体标准

T/CASAS045—2025

代替T/CASAS045—2024

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管

(SiCMOSFET)动态栅偏(DGS)试验方法

Dynamicgatestress(DGS)testmethodforsiliconcarbidemetal-

oxidesemiconductorfieldeffecttransistor(SiCMOSFET)

2025-12-30发布2025-12-30实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档