全球半导体材料第三代半导体技术突破范文参考
一、全球半导体材料第三代半导体技术突破
1.1材料体系创新
1.1.1碳化硅材料的技术突破
1.1.2氮化镓材料的技术优势
1.1.3氧化镓等新兴材料的技术潜力
1.2衬底材料的质量提升
1.2.1碳化硅衬底缺陷控制技术
1.2.2氮化镓衬底缺陷控制技术
1.3器件结构创新
1.3.1碳化硅MOSFET器件的垂直结构
1.3.2氮化镓器件的横向结构
1.4制造工艺的突破
1.4.1碳化硅器件的加工工艺
1.4.2氮化镓器件的加工工艺
1.5产业生态的构建
1.5.1全球技术集群
1.5.2中国的加速追赶
1.5.3产
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