高性能沟道MOSFET同步整流器.pdfVIP

表

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表格、th、td

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FDP032N08B_F102

N沟道PowerTrench®MOSFET

80V，211A，3.3mΩ

特性

•RDS(开)

=2.85mΩ(典型值)@

VGS

= 10V,

ID

= 50A

⋆

•低FOMRDS(开)QG

•低反向恢复电荷，Qrr

•软反向恢复体二极管

•支持高效率的同步整流

•快速开关速度

•100%

UIL

测试

•符合RoHS

描述这款N沟道

MOSFET

i

该N沟道MOSFET由Fairchild

Semiconductor的先进PowerTrench®工艺生产，

特别设计以最小化导通电阻并保持优异的开关性能。

应用

•同步整流适用于ATX

/服务器/电信电源供应器

•电池充电和电池保护电路

•直流电机驱动和不间断电源

•微型能逆变器

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FDP032N08B_F102

N-ChannelPowe