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第三代半导体在固态电池管理中的应用：高频双向BMS均衡器的竞争

本报告说明

本报告聚焦第三代半导体（SiC/GaN）器件在固态电池管理系统（BMS）中高频双向均衡器这一新兴交叉赛道的竞争格局。固态电池凭借超低内阻特性，对均衡电流与开关频率提出更高要求，传统硅基IGBT/MOSFET方案在均衡效率、损耗与体积上的瓶颈日益凸显。SiC/GaN的高频、高耐压、低损耗特性，正成为下一代BMS均衡拓扑的关键变量。

报告核心发现：当前竞争已形成”功率半导体原厂主导、电池BMS厂商协同、车规Tier1集成”的三方博弈格局。Wolfspeed、ST、罗姆、英飞凌等海外厂商凭借SiC/GaN器