CN118983341A 一种功率半导体器件及其制造方法 (杭州芯迈半导体技术有限公司).pdfVIP

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  • 2026-10-21 发布于重庆
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CN118983341A 一种功率半导体器件及其制造方法 (杭州芯迈半导体技术有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118983341A

(43)申请公布日2024.11.19

(21)申请号202411459708.3

(22)申请日2024.10.17

(71)申请人杭州芯迈半导体技术有限公司

地址310051浙江省杭州市滨江区西兴街

道联慧街6号1-1201

(72)发明人王宝柱

(51)Int.Cl.

H01L29/78(2006.01)

H01L29/423(2006.01)

H01L21/28(2006.01)

H01L21/336(2006.01)

权利要求书2页说明书8页附图12页

(54)发明名称

一种功率半导体

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