芯片工艺面试题目及答案.docxVIP

芯片工艺面试题目及答案

CMOS芯片制造全流程作为工艺岗面试的核心基础题，完整的主流12英寸晶圆从衬底到成品晶圆的全流程节点需精准匹配行业量产参数：首先采用100晶向、电阻率10~20Ω·cm的P型轻掺杂单晶硅衬底，出厂后首先进入前置清洗工序，执行标准RCA清洗流程：第一步RCA1溶液配比为NH?OH:H?O?:H?O=1:1:5，温度控制在75~85℃，用于去除有机沾污和表面附着的颗粒，第二步RCA2溶液配比为HCl:H?O?:H?O=1:1:6，同温下溶解去除衬底表面吸附的钠、铁、镍等金属离子，最后用稀释100倍的HF溶液漂洗15秒，去除硅片表面的自然氧化层，形成氢终止的超光滑表面，表面粗糙度小于0.1nm。清洗完成后进入浅沟槽隔离STI制程：先生长10~15nm的pad氧化层作为应力缓冲层，再沉积100~150nm厚的氮化硅作为刻蚀和CMP的硬掩膜，通过光刻定义有源区图形后，干法刻蚀出深度300~500nm的隔离沟槽，采用高密度等离子体HDP-CVD工艺填充二氧化硅介质，随后执行CMP化学机械抛光，精确停在氮化硅硬掩膜层表面，最后用热磷酸湿法去除氮化硅层、稀HF去除pad氧化层，最终实现相邻有源器件之间的隔离电阻大于1×1012Ω，隔离漏电小于1nA/μm，同时有效抑制CMOS闩锁效应。

STI完成后进入双阱注入工序：P阱采用硼离子注入，能量100~200keV，剂量1×10