《GBT+48345-2026+用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》培训课件.pptxVIP

《GB/T48345-2026用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》培训课件

目录

02

术语与定义

01

标准概述

03

技术要求

04

试验方法

05

检验规则

06

标志、包装与贮存

标准概述

01

标准编制背景与意义

填补行业空白

硅基氮化镓外延片作为第三代半导体核心材料，长期缺乏统一国家标准，本标准的发布有效规范了产品技术指标，为产业高质量发展提供了技术支撑。

推动产业协同发展

标准由晶湛半导体、华润微、三安集成等龙头企业及科研院所共同起草，凝聚了产学研用各方共识，为硅基GaN外延片的研发、生产与应用提供了统一规范。

团标先行国标采信

该标准采信了CASA发布的团体标准T/CASAS060—2025，体现了“团标先行、国标采信”的创新标准化模式，大幅缩短了标准制定周期，提升了行业响应速度。

为硅基GaN外延片的材料生长、参数控制、缺陷管理及出厂检验提供明确的技术依据和判定标准，保障产品批次一致性与可靠性。

为第三方质检机构开展硅基氮化镓外延片的质量评估、性能测试及一致性认证提供权威的标准化指导，规范市场质量监督体系。

为HEMT功率器件的设计与制造提供外延材料选型依据，确保器件性能与外延片参数的精准匹配，提升功率器件良率。

外延片生产企业

功率器件制造厂商

检测与认证机构

本标准主要规定了用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片的技术要求、测试方法及质量判定准则