集成电路制造技术 课件 第五章 掺杂工艺.pptx

集成电路制造技术

第五章掺杂工艺

一、硅掺杂基础知识二、扩散掺杂三、离子注入掺杂四、退火激活

硅掺杂基础知识

什么是掺杂工艺？通过热扩散或离子注入方法渗透可控数量的某种元素进入半导体特定区域，以达到改变半导体材料原有电性，形成P型或N型半导体热扩散：将一定数量和一定种类的杂质在高温下扩散到硅衬底中，形成掺杂区域离子注入：将一定数量和一定种类的杂质以高能粒子轰击的方式注入到硅衬底中，形成掺杂区域

硅半导体的两种掺杂在单质硅晶体内，每个硅的四个外层电子分别与四个邻近硅原子的一个外层电子形成稳定的共价键。P型掺杂：三族元素原子供应3个电子，加上硅原有的4个电子有一个电子的空缺。称之为空穴。当外加一个