模拟电路核心考点与习题解析题库（含详细答案解析·可打印）.docxVIP

模拟电路核心考点与习题解析

题库（含详细答案解析）

（共160题单选/多选/判断/简答含详细答案解析）

一、单项选择题（本大题共110小题，每小题2分，共220分）

1．本征半导体中自由电子浓度与空穴浓度的关系是：（）

A．自由电子浓度远大于空穴浓度

B．自由电子浓度远小于空穴浓度

C．两者浓度相等

D．两者浓度之比等于禁带宽度

2．N型半导体中的多数载流子是：（）

A．空穴B．自由电子C．负离子D．正离子

3．PN结内建电场的形成原因是：（）

A．外加正向电压的推动

B．扩散运动使结两侧形成不能移动的离子区

C．漂移运动使载流子全部耗尽

D．金属与半导体接触产生的势垒

4．PN结加正向电压时，其空间电荷区（耗尽层）将：（）

A．变宽，内建电场增强

B．变窄，内建电场减弱

C．宽度不变，仅电场方向改变

D．完全消失，内建电场为零

5．PN结的反向饱和电流主要决定于：（）

A．外加反向电压的大小

B．正向电流的大小

C．温度与少子浓度

D．PN结的几何面积与正向压降

6．当PN结反向电压增大到一定值时，反向电流急剧增大，该现象称为：（）

A．正向导通B．反向击穿C．电容效应D．扩散效应

7．稳压二极管正常稳压工作时，应工作在：（）

A．正向导通区B．截止区C．反向击穿区D．正向死区

8．硅二极管的正向导通压降约为：（）

A．0.