IEC 60747-9：2019 半导体器件第9部分分立器件绝缘栅双极晶体管标准立项发展报告.docxVIP

IEC60747-9:2019《半导体器件第9部分：分立器件绝缘栅双极晶体管》标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices-Part9:DiscreteDevices-Insulated-gateBipolarTransistors(IGBTs)

摘要

绝缘栅双极晶体管（IGBT）作为现代电力电子系统的核心开关器件，广泛应用于轨道交通、新能源汽车、工业变频、智能电网及航空航天等关键领域。随着器件电压等级、开关频率和可靠性要求的持续提升，建立统一、科学、可操作的测试与表征标准成为产业亟需。IEC60747-9:2019《半导体器件第9部分：分立器件绝缘栅双极晶体管》由国际电工委员会（IEC）于2019年11月正式发布，现行有效，以英语和法语双语出版。该标准系统规定了分立IGBT器件的术语定义、文字符号、基本额定值、电热特性参数及相应测试方法，为器件制造企业、整机用户和第三方检测机构提供了统一的技术评价依据。本报告围绕该标准的立项背景、主要技术内容、产业应用价值及发展趋势进行系统阐述，并结合我国IGBT产业标准化现状提出对策建议。研究表明，IEC60747-9:2019的实施对消除国际贸易技术壁垒、促进器件互换性与互操作性、支撑功率半导体产业高质量发展具有重要的基础