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中粮集团电源设计校招笔试真题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、选择题（每题2分，共30分）

1.某二极管在正向偏置时，其正向压降约为0.7V（硅管），在反向偏置时，其反向电流很小，可以近似视为（）。

A.零

B.开路

C.短路

D.几乎为零但不为零

2.晶体三极管工作在放大区时，其发射结和集电结分别处于（）状态。

A.发射结反偏，集电结反偏

B.发射结正偏，集电结反偏

C.发射结反偏，集电结正偏

D.发射结正偏，集电结正偏

3.MOSFET是一种（）控制器件。

A.电流

B.电压

C.频率

D.功率

4.在理想情况下，一个理想的二极管正向导通电阻为（），反向截止电阻为（）。

A.零，无穷大

B.无穷大，零

C.零，零

D.无穷大，无穷大

5.某N沟道增强型MOSFET，当其栅源电压VGS小于开启电压Vth时，（）。

A.漏源之间呈导通状态

B.漏源之间呈截止状态

C.漏源之间呈线性放大状态

D.无法确定其状态

6.在单相半波整流电路中，若输入交流电压有效值为Um，则输出直流电压的平均值Vd约为（