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壁仞科技模拟电路竞聘模拟卷.docx

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    壁仞科技模拟电路竞聘模拟卷

    考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

    一、选择题（每题2分，共20分。下列选项中，只有一项符合题目要求，请将正确选项的字母填入括号内）

    1.在室温下，某硅N型MOSFET的阈值电压Vth为0.4V，当栅源电压VGS=0V时，其漏源电流ID近似为多少？（假设饱和区电流公式适用）

    A.0mA

    B.几乎无穷大

    C.依赖于沟道长度

    D.0.4V除以沟道宽度

    2.对于一个共源放大电路，若增大其源极电阻RS，以下哪项性能指标会提高？

    A.低频增益

    B.输出阻抗

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