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半导体制造用高纯锗烷与乙锗烷：硅锗外延中的锗组分与应变控制

本报告说明

本报告聚焦半导体核心材料中的高纯电子特气——锗烷（GeH?）与乙锗烷（Ge?H?），围绕其在硅锗（SiGe）外延工艺中的锗组分调控与应变工程展开调研。报告以工艺数据为锚点，结合全球半导体材料市场结构、先进制程节点演进与下游晶圆代工产能布局，系统梳理两类锗源气体的技术特性、应用场景与供需格局。

核心发现如下：第一，GeH?流量与SiGe外延层中锗原子分数（Ge%）呈良好的线性调控关系，主流工艺下流量-组分灵敏度约为k=Δ[Ge%]

报告共八章，按”数据→趋势→预测→建议”递进展开：第一章交代调研背景与方法