原创力文档驱动视界
TransHorizon
SiC功率半导体封装集成
创新技术及应用
康勇
1987年
Cree(Wolfspeed)建立
第一条SiC衬底生产线
2001年
英飞凌发布第一个商用SiCSBD器件
2005年
Cree实现4英寸SiC衬
底量产
2011年
Rohm和Cree推出SiC
MOSFET器件
2012年
Cree启动6英寸SiC衬底
量产
2015年
Rohm量产基于沟槽栅SiC芯片的1200V/180A
功率模块
2018年
特斯拉宣布其汽车电控
采用STSiC功率模块
T三SL两
2021年
Cree成功研发8英寸SiC衬底产线将于202
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