CN118919555A 抑制中压SGT MOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用 (华羿微电子股份有限公司).pdfVIP

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  • 2026-11-02 发布于重庆
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CN118919555A 抑制中压SGT MOSFET横向漏电的终端设计结构、制作方法及应用 (华羿微电子股份有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN118919555A

(43)申请公布日2024.11.08

(21)申请号202411408350.1

(22)申请日2024.10.10

(71)申请人华羿微电子股份有限公司

地址710000陕西省西安市经济技术开发

区草滩生态产业园尚稷路8928号

(72)发明人苏毅完颜文娟袁力鹏常虹

范玮

(74)专利代理机构北京中济纬天专利代理有限

公司11429

专利代理师郭航

(51)Int.Cl.

H01L29/06(2006.01)

H01L21/265(2006.01)

H01L29/78(2006.01)

H01L

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