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2026年全球第三代半导体并购浪潮：潜在标的、估值逻辑与市场整合趋势

摘要

本报告以全球第三代半导体产业为调研对象，聚焦2026年即将加速的并购浪潮，系统分析并购案例、潜在标的、估值逻辑与市场整合趋势。调研范围覆盖碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）两大核心材料领域，地理覆盖中国、美国、欧洲、日本等主要市场，时间跨度从2020年至2026年，并以2026年预测为重点。

核心发现表明，在新能源汽车、光伏储能和AI数据中心等需求驱动下，第三代半导体产业正从快速扩张期转入垂直整合期。2023–2025年，全球已发生超过25起并购案，交易金额累计突破120亿美元，涵盖衬底、外延、器件及设备环节。2026年并购热度将进一步攀升，预计全年交易数量将超过15起，其中SiC衬底初创公司将成为最活跃的标的池。

估值逻辑正从传统的市销率（P/S）向“产能估值法”迁移，即基于有效产能（折合8英寸月产能）和长期供应协议（LTSA）的预期收入进行定价，典型溢价区间为EV/

报告预测，未来整合将围绕三大主线展开：一是设备制造商向上游并购衬底产能以保障供应链安全；二是中国厂商通过跨境并购获取8英寸技术与海外客户资源；三是设备与材料环节的横向兼并，以提升工艺控制能力。最终，全球第三代半导体市场将形成以少数垂直整合巨头为核心、专业化专精特新企业为补充的寡头竞争格局。

第一章调研概述

1.1调研背