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硅片磨抛工艺岗位考核试题（含详细答案）

适用岗位：光伏/半导体硅片磨抛操作工、工艺员

考核时长：60分钟

满分分值：100分

注意事项：1.请结合现场实操经验作答，严禁脱离生产实际；2.所有简答题、分析题需表述具体、贴合工艺标准，禁止笼统作答。

一、单项选择题（每题2分，共20分）

1.单晶硅片双面磨抛的核心目的是去除切片工序残留的损伤层，同时控制硅片（）

A.重量偏差B.厚度均匀性C.颜色色差D.硬度指标

2.硅片磨抛过程中，抛光液的主要核心作用是（）

A.降温冷却B.化学腐蚀+机械研磨C.清洁硅片表面D.固定硅片位置

3.以下哪种缺陷不属于硅片磨抛常见表面缺陷（）

A.橘皮纹B.抛光划痕C.崩边缺角D.表面脏污斑点

4.磨抛机压力参数过大，最容易造成的硅片问题是（）

A.磨抛速率变慢B.硅片薄厚不均、隐裂C.抛光液浪费D.表面抛光不足

5.半导体硅片精抛工序，相比粗抛，主要调整的参数是（）

A.增大压力、提高转速B.减小压力、降低转速、细化磨料C.增大抛光液流量D.延长上料时间

6.硅片磨抛后清洗的首要目的是去除（）

A.硅片内部杂质B.表面残留磨料颗粒、抛光液残渣C.硅片氧化层D.切片胶残留

7.磨抛垫长期使用未更