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低电阻高密度电源管理MOSFET器件特性.pdfVIP

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  • 2026-11-06 发布于北京
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低电阻高密度电源管理MOSFET器件特性.pdf

    APM2312A

    N沟道增强型MOSFET

    特性引脚说明

    •20V/5A，RDS(ON)=35m(典型值)

    @

    D

    VGS=4.5V；RDS(ON)=45m(典型值)

    @

    VGS

    =2.5V；RDS(ON)=60m(典型值)

    @

    VGS=1.

    G

    8V；密度单元设计；可靠耐用；符合

    S

    无铅（RoHS认证）

    •

    SOT‑23封装顶视图

    •

    •

    D

    应用领域

    •笔记本电脑、便携式设备及电池

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