CN119221106A 一种GeSn和GePb半导体单晶纳米点的制备方法 （厦门大学）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119221106A

(43)申请公布日2024.12.31

(21)申请号202411415973.1

(22)申请日2024.10.11

(71)申请人厦门大学

地址361005福建省厦门市思明南路422号

(72)发明人夏世龙甘秋宏于九龙李成

林光杨黄巍

(74)专利代理机构厦门南强之路专利事务所

(普通合伙)35200

专利代理师张素斌

(51)Int.Cl.

C30B23/04(2006.01)

C30B29/52(2006.01)

C30B29/60(2006.01)

B82Y40/00(2011.01)

B8