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沃尔核材校招笔试试题

考试时间：______分钟总分：______分姓名：______

一、专业知识题

1.碳化硅（SiC）材料属于（）。

A.金属导体

B.绝缘体

C.半导体材料

D.陶瓷材料

2.下列哪种方法通常不用于制备高质量的碳化硅单晶？（）

A.温差蒸发法

B.物理气相传输法（PVT）

C.直拉法（Czochralski）

D.升华法

3.碳化硅材料中，主要杂质元素氮（N）和铝（Al）分别会引入（）。

A.深能级缺陷，浅能级缺陷

B.浅能级缺陷，深能级缺陷

C.深能级缺陷，深能级缺陷

D.浅能级缺陷，浅能级缺陷

4.SiC中，与施主能级距离最近的导带底能级是（）。

A.6H能级

B.4H能级

C.3C能级

D.2H能级

5.在SiC材料中，实现n型掺杂常用的元素是（）。

A.硼（B）

B.铝（Al）

C.磷（P）或砷（As）

D.镓（Ga）或铟（In）

6.SiC外延生长过程中，常用的衬底材料是（）。

A.硅（Si）

B.锗（Ge）

C.碳化硅（SiC）

D.氮化镓（GaN）

7.