CN119317137A 沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdfVIP

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  • 2026-11-08 发布于重庆
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CN119317137A 沟槽栅碳化硅晶体管结构及其制备方法 (上海积塔半导体有限公司).pdf

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119317137A

(43)申请公布日2025.01.14

(21)申请号202411426850.8H10D62/832(2025.01)

(22)申请日2024.10.12

(71)申请人上海积塔半导体有限公司

地址201306上海市浦东新区中国(上海)

自由贸易试验区临港新片区云水路

600号

(72)发明人詹祖日吴贤勇黄栋栋刘胜北

高芳芳张宇萱

(74)专利代理机构上海盈盛知识产权代理事务

所(普通合伙)31294

专利代理师赵娟娟

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01

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