CN119317135A 一种提高MOSFET可靠性的制备方法 （无锡中微晶园电子有限公司）.pdfVIP

(19)国家知识产权局

(12)发明专利申请

(10)申请公布号CN119317135A

(43)申请公布日2025.01.14

(21)申请号202411423793.8

(22)申请日2024.10.12

(71)申请人无锡中微晶园电子有限公司

地址214000江苏省无锡市新吴区信息产

业科技园A座二层203室

(72)发明人张明陆林洋朱少立吴建伟

(74)专利代理机构无锡派尔特知识产权代理事

务所(普通合伙)32340

专利代理师杨立秋

(51)Int.Cl.

H10D30/01(2025.01)

H10D62/10(2025.01)

H10D64/68(2025.01)

H01L21/02(2006.01)