2026年8英寸硅基氮化镓功率器件产线建设项目可行性研究报告(立项备案·拿地标准版).docx

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2026年8英寸硅基氮化镓功率器件产线建设项目可行性研究报告(立项备案·拿地标准版)

结论先行:2026年是硅基氮化镓(GaN-on-Si)产线项目办理立项备案与拿地的可行窗口。示例项目按8英寸晶圆一期1.5万片/年规划,总投资15亿元,年综合能耗约6,100吨标准煤,备案归类半导体分立器件制造;氨氮总量指标与标准地指标必须在摘牌前书面锁定。消费类价格战与动态导通电阻可靠性,是立项之后真正决定项目生死的两件事。文中全部测算均为示例口径,不构成任何收益承诺。

一、从投委会的三个问题说起:为什么是GaN、为什么是2026、为什么自己建线

2025年11月,某集团投资委员会把一份项目建

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