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GaN器件在DC-DC变换器中的研究现状文献综述

宽禁带功率器件具有高频率、高效率、高结温和高耐压等优异的性能，适合制作各种大功率高频高集成的变换器，其主要是GaN和SiC，表1.1对SiC、GaN和Si材料的性能参数进行了对比[22-23]，在禁带宽度、电载流子迁移率和热导率等数据上，GaN和SiC材料有着明显的优势[24-25]，由于材料性能的不同，SiC功率器件侧重应用在超过1000V的高电压大功率场合，GaN功率器件主要应用在40-1000V的高频变换器场合。早期的GaN功率器件使用SiC衬底，价格昂贵，难以推广，目前已经研发出了Si衬底的GaN，可以直接使用现有的半导体技术工艺，极大的降低成本，同时保留了GaN功率器件的绝大多数优异性能，性能损失很小。预计在未来，在各种低压电源变换器中，Si器件可能会被GaN器件淘汰。

表1.1GaN、Si和SiC材料的性能对比

Table1.1ComparisonofmaterialpropertiesofGaN,SiandSiC

材料

禁带宽度(eV)

载流子迁移率

(cm2·V-1·s-1)

击穿场强

(MV·cm-1)

饱和漂移速度

(cm·s-1)

热导率

(W/cm℃)

GaN

3.6

2000

4

3×107

2.3

Si

1.13

1500

0.45

1×107

1.5

SiC

3.