IEC 60747-5-15:2022 半导体器件第5-15部分光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法标准立项发展报告.docxVIP

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IEC 60747-5-15:2022 半导体器件第5-15部分光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法标准立项发展报告.docx

半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:Semiconductordevices-Part5-15:Optoelectronicdevices-Lightemittingdiodes-Testmethodoftheflat-bandvoltagebasedontheelectroreflectancespectroscopy

摘要

发光二极管及宽禁带半导体光电子器件快速发展,对器件界面、结区电场、载流子注入与可靠性评价提出了更高要求。平带电压是反映半导体表面/界面能带弯曲、界面态密度及结特性的重要参数,但传统测试方法在宽禁带LED上存在接触制备复杂、破坏性较强、结果一致性不足等问题。IEC60747-5-15:2022《半导体器件第5-15部分:光电子器件发光二极管基于电反射光谱法的平带电压试验方法》由国际电工委员会于2022年1月7日发布并现行,为LED平带电压测试提供了国际统一的非破坏性试验方法。报告系统梳理该标准的概况、立项背景、适用范围、技术原理、试验程序、制定过程、主要参与标委会及应用价值,分析电反射光谱法在平带电压提取中的技术优势。研究表明,该标准对提升LED测试结果可比性、支撑外延

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