半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） 标准立项发展报告.docx

半导体晶片近边缘几何形态评价第2部分：边缘卷曲法（ROA）标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:PracticeforDeterminingSemiconductorWaferNear-EdgeGeometry—Part2:Roll-offAmount(ROA)

摘要

随着集成电路制造工艺向先进制程节点持续演进，半导体晶片近边缘区域的几何形态控制已成为影响芯片良率与器件可靠性的关键因素之一。边缘卷曲量（Roll-offAmount，ROA）作为表征晶片近边缘几何形态的核心参数，其标准化评价方法的建立对于统一行业测试基