高教社课件电工电子技术简明教程（第3版）E8-ch07-2.pptxVIP

7.2ROM;ROM，工作时内容只能读出，不能随时写入。;

存储矩阵

;1.一维译码ROM;行线;7.2.2可编程ROM;1.一次性可编程的PROM;（2）反熔丝型;编程前，浮栅上没有电荷的MOS管，与普通增强型NMOS管一样,

当栅极加正常逻辑高电平时，MOS管导通,否则截止。;三种浮栅MOS管：

;若要擦除，可用紫外线或X射线，距管子2厘米处照射15-20分钟。;;浮栅延长区与漏区N+之间的交叠处有一个厚度约为80(埃)的薄绝缘层——遂道区。;为了保护FlotoxMOS的极薄氧化层，将其与普通MOS串接。;结构特点:

1.闪速存储器存储单元MOS管的源极N+区大于漏极N+区，而SIMOS管的源极N+区和漏极N+区是对称的；

2.浮栅到P型衬底间的氧化绝缘层比SIMOS管的更薄。;1.编程操作

2.读操作

3.擦除操作

重要前提：闪存在编程操作前，所有存储单元必须处于全“1”状态。;核心目标：将选定的存储单元从“1”变为“0”。;核心目标：检测存储单元中存放的是“0”还是“1”。;核心目标：将所有单元恢复成全“1”状态。;NOR型闪存存储矩阵结构（以4??4为例）;读操作（例如选中Y0行、I0列）;读操作（例如选中Y0行、I0列）;读操作（例如选中Y0行、I0列）