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N沟道MOSFET技术参数与特性手册.pdf

N沟道MOSFET技术参数与特性手册.pdf

    表格

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    边框‑塌陷:

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    边框:

    1px

    实线

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    }

    FDP20N50F

    /

    FDPF20N50FT

    N沟道

    MOSFET，FRFET

    500V，20A，0.26Ω

    特性

    •漏源导通电阻

    (典型值=0.22Ω)

    @

    栅源电压

    = 10V，漏极电流

    = 10A

    •低栅极电荷（典型值50nC）

    •低Crss（典型值27pF）

    •内置二极管的快速反向恢复开关

    •快速切换

    •100%

    雪崩测试

    •提高dv/dt能力

    •符合RoHS

    描述

    这些N沟道增强型功率场效应晶体管采用Fairchild

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