IEC 63275-1：2022 半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分偏置温度不稳定性试验方法标准立项发展报告.docxVIP

半导体器件碳化硅分立金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法第1部分：偏置温度不稳定性试验方法标准立项发展报告

StandardizationDevelopmentReport:SemiconductorDevices–ReliabilityTestMethodforSiliconCarbideDiscreteMetal-OxideSemiconductorFieldEffectTransistors–Part1:TestMethodforBiasTemperatureInstability

摘要

碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）因其高击穿电场、高热导率和高开关频率等优异特性，在新能源汽车、光伏逆变、轨道交通及智能电网等领域得到广泛应用。然而，SiC/SiO?界面缺陷导致的偏置温度不稳定性（BiasTemperatureInstability,BTI）严重制约器件长期可靠性，成为产业化应用的关键瓶颈。国际电工委员会（IEC）于2022年4月正式发布IEC63275-1:2022标准，首次系统规定了SiC分立MOSFET偏置温度不稳定性试验方法，涵盖试验条件、测试程序、参数提取及结果评定等内容。本报告系统梳理该标准的立项背景、技术内容、编制依据及应用价值，分析国内外SiC器件可靠性标准化现状，