GB-T 48345-2026《用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片》.pptxVIP

GB/T48345—2026

用于HEMT功率器件的硅衬底氮化镓外延片

1范围

本文件规定了用于高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件的硅衬底氮化镓外延片(以下简称“氮化镓外延片”)的分类、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于在硅衬底上生长的用于功率电子领域高电子迁移率晶体管的氮化镓外延片。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。

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