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Micro-LED巨量转移技术的良率提升工艺进展

一、引言

作为新一代显示技术的核心方向，Micro-LED凭借超高亮度、超长使用寿命、极低功耗、广色域、高响应速度等优势，被认为是继液晶显示、有机发光二极管显示之后的下一代主流显示技术，在超大尺寸商显、虚拟现实近眼显示、车载显示、透明显示等场景都有广阔的应用前景。但与传统显示技术不同，Micro-LED的芯片尺寸缩小到微米级别，一块常规尺寸的显示屏需要集成数百万到数千万颗独立的微型LED芯片，如何将海量的微缩芯片从蓝宝石或碳化硅生长基板上，高效、精准地转移到对应的驱动背板位置，也就是行业所说的巨量转移技术，是制约Micro-LED产业化落地的最核心瓶颈。行业普遍共识是，只有当巨量转移的综合良率达到五个九以上、也就是99.999%的水平，才能将坏点数量控制在人眼不可察觉、修复成本可接受的范围，满足大规模商用的基本要求（中国光学工程学会，2023）。在Micro-LED技术发展早期，各类巨量转移工艺的综合良率普遍不足90%，单块屏幕的坏点数量达到数万甚至数十万个，根本无法满足显示要求。近十年来，全球科研机构和产业界围绕巨量转移的全流程开展了大量工艺优化工作，从硬件迭代、工艺融合、材料创新、缺陷管控等多个维度推进良率提升，推动实验室条件下的转移良率逐步向商用门槛靠近。本文将从巨量转移良率的核心制约因素出发，系统梳理当前良率提升工艺的主要进