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模拟电子技术·教学课件模电二极管课件PN结·单向导电性·伏安特性·整流与稳压汇报时间：2026年

课程导览COURSEMAP·模拟电子技术·二极管01PN结与二极管基础从半导体到单向导电02二极管特性与参数伏安特性与关键指标03二极管典型应用整流与稳压电路

PN结与二极管基础从半导体到单向导电的物理基石01

模电二极管课件掺杂让半导体带电硅晶格中的硼原子与空穴（空心圆圈）示意本征硅导电能力弱，自由载流子稀少。注入活力的关键是掺杂。掺硼→?P型硼为三价元素，共价键中少一个电子，留下带正电的空穴成为多数载流子。掺磷→?N型磷为五价元素，多出的价电子挣脱束缚成为自由电子，电子成为多数载流子。无论P型还是N型，材料整体仍保持电中性——多出的载流子电荷被晶格中带相反电荷的杂质离子平衡。模拟电子技术·二极管04/16

模电二极管课件扩散与耗尽层的形成1浓度差驱动扩散P区空穴向N区跑，N区电子向P区跑。2复合留下固定离子越过界面的载流子与对方多数载流子复合，P区留下带负电的受主离子，N区留下带正电的施主离子，离子固定在晶格中不能移动。3耗尽层与内建电场交界面附近形成缺少自由载流子的空间电荷区；正负电荷分离产生从N区指向P区的内建电场，阻止扩散继续，最终扩散与漂移达到动态平衡，净电流为零。PN结交界面两侧的固定离子与耗尽层模拟电子技术·