用辅助电路提高同步整流电源的效率.pdf

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‘电力电子技术)2000第4期20∞.8 溺辅骑电路提高阊步整流电源的效率 an CircuittOIncrease Auxiliary of Rectifiers Employing EfficiencySynchronous 匿安淫工大学娄鼙嚣熬浚朝(辑安710048) 伊尔梅瑙工韭大学T.Reimamt (德国D-98684) 臻薹:箍毒一弊垮设辘赫壤精寒毒效鼯懿鞋MOSFET舞尘拜关鳇抵援太毫藏瓣劳整流电攘逶态翡瓣的办法。 双开关正辩变换同步整瘴电源的散事。在窭际应用中,可使主开关在去掉敬热器之麓仍能正常运行,从褥使装璧 鬟藿释蘸、棒耪壤步.蠢襄予爨广应壤。 reetlfiersin Ab甜hmct:Thlspaperp璁$en协8newmethodtOe赶ectlvelyreduce幽eon-statepowerlosse喜ofs蛳h娜us 8role ofl黼inswitcklngdevice*.S4mulaticm8nd曰【pedln∞tal聪辍以堪showthatsetting柑l8删iry whichM0簖ETspl嚣y cruxextend 潮tattached∞theMOSFET its∞-tlme∞d the two-switch+ gate th∞dfectlvelyimproveefticioncy《the forwardconversion rectifierswith transformerIn is tore.illove ing synchronous isolating Fraatiealapplications.itIxmihla heatsinksn日mthe rectifiersmore power compact。 switching 毂调i效率,金瓣氧传鞫警鬻捧场鼓斑螽律警瓣步整溉涟;蠡功耗 10雕 power Keywortls:effielmey;MOS愀:甜琳血黼nO璐rectifler;othstate 重薯|言 0.4。 本文在相同实验条件下比较肖特基辫垒二檄管 SBD与M0辨ET懿遗态功耗蕈葬澄度特性,鸯裳彳 在同步整流电源中使用性能优越的MOSFET的确 ‰ 琏:艇鹰SBD效果更好,健在繁簿瓣离变孤器弱双辩 。 美蠢辩变换弱步整藏越濠中,巍鼍:砉空魄D不萄黯 大子0.5,礴离变压器次级绕缀的箍出电压在每餍 爨懿嫩后1~2D麓瓣毙零,MOSFET嚣得不到驱 动电压而关断,续流俸用只虢靠其寄生=极管继续 ‰ 进行。但寄生二极管正向电阻较大,当负载电流较

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