CdS空位模型优化及其电子结构研究 .docVIP

【标题】CdS空位模型优化及其电子结构研究 【作者】任 小 东 【关键词】CdS半导体；?第一性原理；??电子结构；?空位? 【指导老师】李 春 霞 【专业】物理学 【正文】1?绪论1.1?半导体材料简介纳米结构材料，特别是纳米半导体材料，由于具有与常规体材料不同的优异性能，是目前材料学研究的一个热点，而纳米材料学更被公认是21世纪最有前途的学科之一。半导体的电导率介于导体和绝缘体之间，通常为(10-4～109)??，其最大的特点是它的导电性能会随着光照等因素的变化而发生明显的变化，因此半导体家族成为应用最为广泛的光电导材料[1]。在光敏传感器领域，利用半导体光电导材料，以及光电导效应、光生伏特效应和光电子发射等效应为工作原理可制作出众多光敏元件，但无论是根据何种效应制作的任何类型的光敏元件，其光敏特性都与半导体的物性有十分密切的关系。诸如半导体的带隙状态、禁带宽度的大小、所含杂质的种类、载流子迁移率的大小以及材料中的缺陷状态等都会对光敏元件的光吸收、灵敏度以及光谱响应和光谱分布等带来很大影响。能够控制半导体材料电阻率的，除了有效掺入的杂质外还有某些晶格缺陷。特别是在一些离子性较强的化合物半导体中，空位可以起到非常有效的浅施主或浅受主作用。比如在II～VI族化合物的晶格中，II族元素原子缺位后留下的空位VM起受主作用，VI族元素原子缺位后留下的空位Vx起施主作用。这些缺陷的形成能一般较低，有的竟低到比材料的禁带宽度还要小。遇到这种情况时，材料的电阻率往往就受到这种低形成能缺陷的限制，难以再用掺杂方法加以控制，因为任何相反极性杂质的掺入，都将产生出等量的这种缺陷而将其补偿。我们把这种效应，即伴随着掺杂过程而产生与掺入杂质互为补偿的电活性缺陷（空位）从而使掺杂无效的效应，称作自补偿效应。由于II～VI族化合物半导体在光电导体材料中占了相当大的比例，在这些材料的制备和应用中或多或少都会受到自补偿效应的影响。且这类材料有共同特点，即熔点较高，其组成元素又往往具有比较高而不等的蒸气压，因此制备符合化学计量比的完美晶体十分困难，而空位等晶格微缺陷的形成却比较容易。而对半导体材料取空位后，其性质会发生变化，使这种半导体材料成为一种稀磁半导体，稀磁半导体能利用电子的电荷特性和自旋特性，即兼具半导体材料和磁性材料的双重特性。它将半导体的信息处理与磁性材料的信息存储功能、半导体材料的优点和磁性材料的非易失性两者融合在一起，这种材料研制成功将是材料领域的革命性进展。同时，稀磁半导体在磁性物理学和半导体物理学之间架起了一道桥梁，因此不论从理论还是从应用上来说都具有非常重要的意义，成为近年来国内外研究的热点。稀释磁性半导体,简称稀磁半导体(Diluted Magnetic Semiconductors，DMS)，是利用3d族过渡金属或4f族稀土金属的磁性离子替代II- VI族、Ⅳ一Ⅵ族、II- VI族或III一V族等化合物半导体中的部分非磁性阳离子而形成的新型半导体材料，又可称为半磁半导体(Scmimagnetic semiconductors，SMSC)材料或半导体自旋电子材料。稀磁半导体呈现出强烈的与自旋相关的光学性质（如sp-d交换作用、巨磁光效应)、输运性质（如巨负磁阻效应、霍尔效应）等[2],这些效应为人们制备半导体自旋电子学器件提供了物理基础。1.2 II～VI族半导体材料的研究现状及研究意义II～VI族化合物是指由元素周期表中IIB族元素(Zn, Cd, Hg)与VIA族元素?(O, S, Se, Te)所形成的二元、三元乃至四元化合物，通常为闪锌矿结构，具有禁带宽度变化范围大，直接跃迁能带结构，以及离子键成分大等特点[3]。目前对CdS相关研究多为对其制备方法研究，也有少数文章利用第一性原理的 Hartree?- Fork方法和密度泛函理论研究Ⅱ～Ⅵ族化合物CdS的相关性质[4、5]，还有对GdV?( V?= N?, P?,As)?进行第一性原理的研究[6]等，这些都为本文的研究提供了理论依据。但文献中还未涉及对CdS空位模型的优化和电子结构的研究，仅仅提出空位模型会对物质的某些性质造成改变或者对电子结构的计算相关方法做一些介绍。本文将第一性原理对CdS进行空位模型优化并研究其电子结构。在半导体材料中，其中发光颜色在紫外-可见光波段的II～VI族直接宽禁带半导体具有非常优越的物理性能，是一类非常重要的光电材料，在微电子器件领域中已有着广泛的应用。近十年来，II～VI族化合物因其具有优异的物理特性和潜在的应用前景,受到了物理学家和材料科学家的高度重视?,由于它们禁带宽度变化范围大?,而具有直接跃迁能带结构,以及离子键成分大等特点,在制备固体发光、激光、红外、压电效应、光敏传感器等器件方面都得到了广