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第五章 存储器 一、存储器分类及性能指标 二、ROM(ReadOnly Memory) 三、RAM(Random Access Memory) 四、FLASH存储器 五、高速缓冲存储器Cache 六、存储器的译码 七、外存储器 存储器作用及分类 存储器作用：存放代码和数据 地址的概念，地址线的数量（寻址能力） 存储器分类 主存储器（内存储器） — 半导体：速度快，容量小 存放当前运行所需要的程序和数据 ROM RAM：常说的计算机内存 辅助存储器（外存储器） — 磁介质及其它：容量大，速度慢 存放不运行的程序和数据（软盘/硬盘/光盘） 高速缓冲存储器 Cache 虚拟存储器：利用硬盘模拟内存，保存暂时不用的数据 存储器性能指标 存储容量 （n× m表示，如256 ×8 ） 存取速度(存取时间，ns) SRAMDRAMHard DiskFloppy 数据传输率： 外存与内存交换数据的速率(KB/S) 功耗(μw/单元)和工作电源(TTL +5V; CMOS +3V— +18V) 只读存储器ROM 作用：固化程序及参数，如BIOS，固化Basic等 特点：只能读，不能写；关机后内容不消失 组成 地址寄存器 地址译码器 基本存储单元矩阵 输出缓冲器 控制逻辑 类型 掩膜ROM 可编程PROM 光可擦除EPROM 电可擦除EEPROM(E2PROM) 掩模ROM 每个存储单元由一个单管MOS组成 地址线A1和A0通过地址译码器，相应的字线上输出高电平表示选中 单管电极与位线相连时，该路导通，位线输出为0，表示信息“0” 位线不与单管电极相连而与Vcc相连，位线输出为1，表示信息“1” 出厂时根据掩膜已金属化固定接好所有电路，用户不能修改 地址从00到11分别保存信息0110、0101、1010、0000 可编程PROM 熔断丝式 每个存储单元由双极性三极管组成，采用可熔断金属丝串接在三极管发射极上，出厂时所有三极管熔断丝完好，表示所有信息均为0 使用时根据需要在编程脉冲作用下将需要存储“1”的单元熔断丝熔断 熔断丝熔断后不能再恢复，所以只能编程一次，即用户只能改一次 二极管式 存储体中每条字线和位线的交叉处都是两个反向串联的二极管的PN结，字线与位线之间不导通 ，表示所有信息均为0 用户需要写入程序，则要通过专门的PROM写入电路，产生足够大的电流把要写入“1”的那个存储位上的二极管击穿，造成这个PN结短路，只剩下顺向的二极管跨连字线和位线，这时，此位就意味着写入了“1”。 由于二极管击穿后不能恢复，故只能编程一次 光可擦除EPROM 存储单元由浮栅MOS单元组成：N道沟（书上）或P道沟出厂式，每个单元的浮动栅极上都没有电荷，所以管子内没有导电沟道，源极S与漏极D之间不导电 ，表示信息“1” 在所选中的单元的漏极D和源极S之间加上十25V的电压，同时加上编程脉冲信号(宽度约为50ns)，漏极与源极之间被瞬时击穿，就会有电子通过SiO2绝缘层注入到浮动栅。电源去除后，因为浮动栅被SiO2绝缘层包围，所以注入的电子无泄漏通道，浮动栅为负，就形成了导电沟道，从而使相应单元导通，表示将0写入该单元 必须用一定波长的紫外光照射浮动栅（通过其上的石英玻璃窗口），使负电荷获取足够的能量，摆脱SiO2的包围，以光电流的形式释放掉。这时，原来存储的信息也就不存在了。一般照射l5~20分钟 可多次编程。擦除时必须从电路板上取下芯片照射，再用专门的写入器写入 常用芯片：Intel2716 (2K × 8)、 Ietel 2732/2764/27128/27512 电可擦除E2PROM 工作原理与EPROM类似，当浮动栅上没有电荷时，管子的漏极和源极之间不导电，若设法使浮动栅带上电荷，则管子就导通 在E2PROM中，漏极上面增加了一个隧道二极管，它在第二栅与漏极之间的电压VG的作用下（在电场的作用下），可以使电荷通过它流向浮动栅（即起编程作用）；若VG的极性相反也可以使电荷从浮动栅流向漏极（起擦除作用），而编程与擦除所用的电流是极小的，可用极普通的电源就可供给VG E2PROM擦除可以按字节分别进行。由于字节的编程和擦除都只需要10ms，并且不需特殊装置，因此可以进行在线的编程写入 常用芯片：Intel2816 (2K × 8)、 Ietel 2832/2864/28128/28512 随机访问存储器RAM 作用：存取需要经常变化的程序代码和数据 特点 随机访问每一个单元 关机后内容消失 只有写才改变其内容 组成 地址寄存器 地址译码器 基本存储单元矩阵 输入/输出缓冲器 控制逻辑 类型 静态SRAM：容量小，速度快。 动态DRAM：容量大，速度慢。 静态SRAM 每个存储单元由6个MOS管组成触发器构成，只要不掉电