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* 第九章 陶瓷基复合材料 9.1 陶瓷基复合材料概述 特种陶瓷具有优秀的力学性能、耐磨性好、 硬度高及耐腐蚀性好等特点，但其脆性大，耐热震性能差，而且陶瓷材料对裂纹、气孔和夹杂等细微的缺陷很敏感。 陶瓷基复合材料使材料的韧性大大改善，同时其强度、模量有了提高。 陶瓷基复合材料的力 – 位移曲线 不同金属、陶瓷基体和陶瓷基复合材料的断裂韧性比较 44～66 33～44 8～10 6.5～15 2.7～4.2 断裂韧性 钢 铝 SiC/ Al203 ZrO2/Al203 Al203 金 属 晶须增韧 颗粒增韧 整体陶瓷 材料 9.2 陶瓷基复合材料的制备工艺 9.2.1 粉末冶金法 工艺流程： 原料（陶瓷粉末、增强剂、粘结剂和助烧剂）? 均匀混合（球磨、超声等）? 冷压成形 ? （热压）烧结 适用于颗粒、晶须和短纤维增韧陶瓷基复合材料。 9.2.2浆体法（湿态法） 为了克服粉末冶金法中各组元混合不均的问题，可采用浆体（湿态）法制备颗粒、晶须和短纤维增韧陶瓷基复合材料。 其混合体为浆体形式。混合体中各组元保持散凝状。即在浆体中呈弥散分布。 采用浆体浸渍法也可制备连续纤维增韧陶瓷基复合材料。 浆体法制备陶瓷基复合材料示意图 9.2.3反应烧结法 用此方法制备陶瓷基复合材料，除基体材料几乎无收缩外，还具有以下优点： （1）增强剂的体积比可以相当大； （2）可用多种连续纤维预制体； （3）大多数陶瓷基复合材料的反应烧结温度低于陶瓷的烧结温度，因此可避免纤维的损伤。 此方法最大的缺点是高气孔率难以避免。 反应烧结法 制备SiC/Si3N4 基复合材料工 艺流程图 9.2.4液态浸渍法 用此方法制备陶瓷基复合材料，化学反应、熔 体粘度、熔体对增强材料的浸润性是首要考虑的问 题，这些因素直接影响着材料的性能。陶瓷熔体可 通过毛细作用渗入增强剂预制体的孔隙。施加压力 或抽真空将有利于浸渍过程。 液态浸渍法制备陶瓷基复合材料示意图 9.2.5直接氧化法 按部件形状制备增强体预制体，将隔板放在 其表面上以阻止基体材料的生长。熔化的金属在 氧气的作用下发生直接氧化反应形成所需的反应 产物。由于在氧化产物中的空隙管道的液吸作用 ，熔化金属会连续不断地供给到生长前沿。 Al + 空气 ? Al2O3 Al + 氮气 ? AlN 直接氧化法制备陶瓷基复合材料示意图 9.2.6 溶胶 – 凝胶（Sol – Gel）法 溶胶（Sol）是由于化学反应沉积而产生的微 小颗粒（直径?100nm）的悬浮液；凝胶（Gel ） 是水分减少的溶胶，即比溶胶粘度大的胶体。 Sol – Gel法是指金属有机或无机化合物经溶 液、溶胶、凝胶等过程而固化，再经热处理生成氧 化物或其它化合物固体的方法。该方法可控制材料 的微观结构，使均匀性达到微米、纳米甚至分子量 级水平。 （1）Sol – Gel法制备SiO2陶瓷原理如下： Si(OR)4 + 4 H2O ? Si(OH)4+ 4 ROH Si(OH)4 ? SiO2 + 2 H2O 使用这种方法，可将各种增强剂加入 基体溶胶中搅拌均匀，当基体溶胶形成凝 胶后，这些增强组元稳定、均匀分布在基 体中，经过干燥或一定温度热处理，然后 压制烧结形成相应的复合材料。 (2)溶胶–凝胶法也可以采用浆体浸渍法制备增强相预制体 9.2.7化学气相沉积法（CVD） 是以气态物质为原料，在高温下发生热分解或 化学反应合成材料的一种方法。 A(g) →B(s)+C(g) 例如：CH3SiCl3(g) →SiO2(s)+3HCl (g) 或： A(g) + B(g) → C(s)＋D(g) 例如：SiCl4(g) ＋O2 (g) → SiO2(s)+Cl2(g) 能够制备碳化物、氧化物、氮化物和硼化物等。 生产效率降低，需14~21天。 CVD法制备纤维陶瓷基复合材料示意图 9.2.8 化学气相浸渍（CVI）法 与CVD法类似，不同点是气源不仅热分解或 化学反应，而且还与坯体表面的元素发生反应， 并在孔隙中沉积反应产物。 9.2.9 其它方法 （1）聚合物先驱体热解法 以高分子聚合物为先驱体成型后使高分子先 驱体发生热解反应转化为无机物质，然后再经高