半导体制程(4版)污染控制.pptVIP

US FED STD 209E Cleanroom Standards Class maximum particles/ft3 ISO equivalent 0.1 μm 0.2 μm 0.3 μm 0.5 μm 5 μm 1 35 7 3 1 10 350 75 30 10 100 750 300 100 1,000 1,000 7 10,000 10,000 70 100,000 100,000 700 * 半導體製程(4版)Microchip Fabrication第5章 :污染控制 Peter Van Zant 著姜庭隆 譯 李佩雯 校閱滄海書局 中 華 民 國 90 年 11 月 28 日 摘要 （1）污染對於元件製程、效能、可靠度的影響 （2）污染的來源及形式 （3）無塵室的規劃、主要的污染控制步驟 （4）晶圓表面的清洗技術 引言 污染：晶圓製造失敗的重要原因之一 無塵室(clean room)：源於太空工業 無塵室技術須和晶片設計、線路密度一起