第1章PN结二极管前4节.pptVIP

* –xp x 0 0 x xn 泊松方程： 利用边界条件求解泊松方程（积分） 边界条件： 0 ) ( , = - f n p x x dx x d 电场零点： 电位零点： 能级变化： * 电场分布： 最大电场： 0 -xp xn x E Em NAxp=NDxn * 电中性条件： ——空间电荷区两侧正、负电荷总数相等 单边突变结： * 电位分布 对电场积分得： 边界处电位： 总电压： * 空间电荷区宽度 P+N结： N+P结： 可推得： 电子器件基础 PN结二极管 * 在一块N型（或P型）半导体单晶片上，用适当的方法（如合金法、扩散法、外延生长法、离子注入法）掺入P型杂质（或N型），使半导体单晶片内的不同区域分别具有P型和N型的导电类型，形成PN结。 * 在N型衬底锗片(N-Ge) 上放置一铟(In)球，加热到最低共融点温度以上，形成熔融的铟锗混合物(In+Ge)，然后降低温度，锗便从铟中析出，沿着锗片的晶向再结晶，在再结晶的锗中含有大量的铟杂质，使再结晶的锗变成P型(P-Ge)，从而形成PN结。 * 在N型硅片(N-Si)表面生长一层二氧化硅(SiO2)薄膜；用光刻法在SiO2薄膜上开一窗口；在高温下扩散P型杂质（如硼B）；在表面窗口下得到P-Si便形成P-N结。 Aj是x=xj处的切线斜率，称为杂质浓度梯度，静电变量的确定仅需净掺杂浓度。NA与ND合并为一条曲线。 1：负号表示电场的方向指向电位下降的方向。 2：电场越强，弯曲越大，电场为0或很弱的地方，能带保持平直。 3：电子从N区到达P区必须要具有qVd的能量，相当于要越过一个势垒高度，能量坡的空间范围叫势垒区，宽度为势垒宽度。 1：突变结两边的掺杂浓度越高，接触电势差越大；禁带宽度越大，ni越小，VD越大。 * 半导体器件原理 西南科技大学应用物理专业 * 第1章 pn结二极管 电子器件基础 PN结二极管 pn结是结型半导体器件如结型晶体管、场效应晶体管的心脏； 在制造晶体二极管，晶体三极管和场效应晶体管等结型器件时，其主要工艺就是制造性能良好的pn结； 深入地了解和掌握pn结的基本理论是学习晶体管等结型器件原理的重中之重。 * 1.1 PN结的形成原理与方法 1.2 平衡PN结 1.3 PN结空间电荷区电场和电位分布 1.4 PN结势垒电容 1.5 PN结直流特性 1.6 PN结小信号交流特性与开关特性 1.7 PN结击穿特性 本章内容： * 掌握PN结的形成、杂质分布，空间电荷区的能带、电场、电位分布，直流特性的物理机理和数学表达式，电容和小信号交流特性，开关特性和击穿特性； 理解泊松方程、连续性方程、电荷控制方程的物理意义和解法。 本章要求： n (p) * 第1节 pn结的制作 p (n) pn结二极管符号 + _ pn结的结构 在n(p)型半导体上以适当方法(合金、扩散、外延生长、离子注入)把掺入p(n)型杂质掺入形成pn结 * 合金法形成pn结 n-Si Al n-Si Al+Si p-Si n-SI n型衬底与p型再结晶层杂质均匀分布，在分界处浓度突变。 * 突变结 单边突变结： NAND p+—n结 NDNA n+—p结 衬底材料为低杂质浓度 pn结两边杂质均匀分布，杂质浓度NA(p区)、ND (n区) 为常数，在pn结交界处(xj ) 突变。 N (x) = NA x xj N (x) = ND x xj 突变结的杂质分布 * 扩散法形成pn结 n-Si SiO2 P型杂质 n-Si p型杂质 P-Si n-Si 扩散结的杂质分布 氧化、光刻、扩散 扩散结的杂质分布 净杂质浓度随位置的变化 pn结的杂质分布一般可归纳为：突变结和线性缓变结。合金法和高表面浓度浅扩散结，xj处aj很大，近似突变结；对于低表面浓度的深扩散，可以认为线性缓变结。 * （1）恒定源扩散 误差函数 erf(x) 余误差函数 erfc(x) N（xj）=0时，得扩散结深： 反余误差函数 表面杂质浓度恒定不变，杂质分布为余误差分布： * （2）限定源扩散 N(xj) = 0 时，得扩散结深： Q为扩散杂质总量，表面浓度 杂质总量限定，杂质浓度分布为高斯分布： * 第2节 平衡PN结 1 空间电荷区 P型：杂质原子 ——空穴正电荷 + 负离子电荷 N型：杂质原子 ——电子负电荷 + 正离子电荷 处于电中性平衡状态，ni2 = pp np = nn pn + ● + ● + ● + ● + ● + ● + ● + ● + ● ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○ ﹣ ○