铌氧化物的低等效串联电阻.pdfVIP

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铌氧化物的低等效串联电阻.pdf

铌氧化物的低等效串联电阻 ESR 和超薄技术 作者:S. Zedníček, Z. Sita, T.Zedníček, M.Komárek AVX 捷克有限公司,德沃夏克路 328, 56301 兰施克隆, 捷克共和国 电话: +420 467 558 111 传真: +420 467 558 128 C. McCracken, W. A. Millman. AVX 有限公司, 长路, 陪顿, Devon TQ4 7ER, 英国 电话: +44 1803697200 传真: +44 1803697326 1. 节选 范围正在迅速拓展,并保证其质量高水平,高可 靠性和无燃烧特征。 上世纪末对钽电容器出现的持续需求同时激发了 对新技术的研究,意在可以超越钽品加工技术的 铌氧 (NbO)电容器与所有的开发新品一样,在平 一系列缺陷:长原料供应链-钽材的高成本及其对 均年增长 (AAG)基础上,要经过产品寿命的循环。 热逃逸故障低 ppm 水平 的敏感性(原料纯度要 图 1 显示了新型和现有电容器技术的产品寿命循 求)。 环,并且铌品可以被列为新兴技术。 在最近两年里,采用最新技术制造的铌氧(NbO) Tantalum Tantalum Tantalum Ceramic Ceramic Ceramic Chips Ceram

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