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第8章 半导体表面和MIS结构 本章重点： 表面态概念 表面电场效应 硅-二氧化硅系统性质 MIS结构电容-电压特性 表面电场对pn结特性的影响 8.1表面态 理想表面：表面层中原子排列的对称性与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 晶体自由表面的存在使其周期场在表面处发生中断，同样也应引起附加能级。这种能级称作达姆表面能级。 悬挂键所对应的电子能态就是表面态 实际表面由于薄氧化层的存在，使硅表面的悬挂键大部分被二氧化硅层的氧原子所饱和，表面态密度大大降低。 此外表面处还存在由于晶体缺陷或吸附原子等原因引起的表面态；这种表面态的数值与表面经过的处理方法有关。 测量表明硅表面能级分两组，一组是施主能级，靠近价带；一组位受主能级，靠近导带。 8.2表面电场效应 理想MIS结构 （1）金属与半导体间的功函数差为零； （2）在绝缘层内没有任何电荷且绝缘层完全不导电； （3）绝缘体与半导体界面处不存在任何界面态。 8.2.1空间电荷层及表面势 空间电荷层：成因。 表面势：空间电荷层两端的电势差为表面势，以Vs表示之，规定表面电势比内部高时，Vs取正值；反之Vs取负值。 三种情况：多子堆积、多子耗尽和少子反型。 以p型半导体为例： 1.多数载流子堆积状态 金属与半导体表面加负压，表面势为负，表面处能带向上弯曲。 2.多数载流子耗尽状态 金属与半导体表面加正压，