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CMOS数字集成电路 2.1 引言  2.2 集成电路的主要生产工艺 晶片准备 制版 光刻工艺 氧化工艺 淀积 腐蚀 扩散 2.3 CMOS反相器及其版图 2.3.1 MOS晶体管及其版图 NMOS管特性 漏极电流 NMOS管特性 当不考虑沟道长度调制系数λ的影响时: 对于PMOS管 NMOS管在线性区的沟道电阻 NMOS管作电阻 2.3.2 CMOS反相器的结构及其版图 CMOS反相器的制作工艺 物理结果截面(侧视) 2.4 设计规则和工艺参数 分布电容 MOS晶体管的器件电容 扩散电容 连线电容 信号沿导线传播的延迟依赖于许多因素，包括导线的分布电阻与电容，驱动源的阻抗，以及负载阻抗。对于长线，由导线层中分布电阻和分布电容引起的传播延迟起支配作用。 导线的延迟时间 门的延迟 CMOS门的延迟下降时间 CMOS电路的功耗 静态功耗 2.5 CMOS数字电路的特征 2.5.1 标准逻辑电平 2.5.2 逻辑扇出特性 R