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硅片和芯片 周期表中硅及相关元素 光刻机 RIE刻蚀装置 Parallel Plate RIE刻蚀机 AME8330 扩散（氧化）炉 IC基础工艺 6 －外延 外延炉 CVD系统 双极型集成电路工艺流程 1 埋层 - 埋层扩散 双极型集成电路工艺流程 2 外延 　　　　　　 　　 双极型集成电路工艺流程 3 隔离 隔离光刻－隔离注入 双极型集成电路工艺流程 3 隔离 双极型集成电路工艺流程 5 发射区 发射区光刻－磷离子注入－发射区扩散 净 化 室 IC基础工艺 5 －离子注入 Si Si Si SiCl4 H2 HCl IC基础工艺 7 －化学气相淀积（CVD） - 原理 　SiH4+O2 SiO2+2H2 　Si OC2H5 4 SiO2+副产物 　SiH4 Si+2H2 - LPCVD和PECVD - PSG和 BPSG - 用途　　导电层间绝缘层，钝化层 CVD系统组成： 气体源和输气系统 质量流控制 反应器加热系统 IC基础工艺 8 －溅射（金属） 基座 硅片 靶 轰击离子Ar+ 溅射原子 IC基础工艺 8 －溅射（金属） - 常用金属化材料 - 铝硅系统优点　低电阻率　低接触电阻 　－纯Al 　－AlSi（防铝尖刺） 　－AlSiCu　（抗电迁移） - 合金化 - 多层布线 　 目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势 集成电路技术发展趋势 - 特征线宽不断变细、集成度不断提高 - 芯片和硅片面积不断增大 - 数字电路速度不断提高 - 结构复杂化、功能多元化 IC技术发展趋势 1 特征线宽随年代缩小 IC技术发展趋势 2 硅片大直径化 1997 1990 1984 1977 1975 1972 引入年代 300 12 200 8 150 6 125 5 100 4 75 3 直径 mm inch IC技术发展趋势 3 CPU运算能力 2000 Pentium-4 2001 800 Pentium-3 1998 250 Pentium-2 1996 100 Pentium 1995 20 486 1991 8 386 1988 1 286 1982 运算能力 MIPS CPU型号 年代 IC技术发展趋势 4 结构复杂化　功能多元化 Bipolar CMOS BiCMOS DMOS BCD IC制造工艺流程 双极型集成电路工艺流程 1 埋层 - 埋层光刻－埋层注入 Sb+ P 111 Sub 10-20?-cm P 衬底 N+　埋层 P Sub N-Epi N+ 埋层 P Sub N- Epi N+ 双极型集成电路工艺流程 3 隔离 - 隔离扩散 N-Epi N+ P+ P+ 双极型集成电路工艺流程 4 基区 - 基区光刻－硼离子注入－基区扩散 N　埋层 P+ P+ 基区 N+ P+ P+ p N+ N+ * 新员工入职培训 IC基础知识 制造工艺流程 IC基础知识 集成电路产业链 制版 硅片 硅片工艺 设计 封装 测试 纯水 净化 设备 化学品 目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势 目录 -最重要的半导体材料－硅 -构建集成电路的主要半导体器件 -关键的集成电路工艺制造技术 -集成电路技术发展趋势 绝缘体／半导体／导体 －绝缘体　电阻率? 108-1018?-cm 石英、玻璃、 塑料 －半导体　电阻率? 10-3-108?-cm 　　　　　　锗、硅 、砷化镓 、磷化铟 　 －导体　　电阻率? 10-3-10-8?-cm 　　　　　　金、银 、铜 、铝 　 　 　　　　　 Pb 铅 6 Sb　锑 Sn 锡 In 铟 5 As　砷 Ge 锗 Ga 镓 4 P　 磷 Si　硅 Al　铝 3 N　 氮 C　 碳 B　 硼 2 VI V IV III II 周期 硅的掺杂和电阻率 -Ｐ型和Ｎ型硅 　Ｐ型　掺杂元素　硼、铝 　Ｎ型　掺杂元素　磷、砷、锑 -掺杂浓度和电阻率 　1x1015硼 0.00001% 10?-cm （衬底） 　1x1016磷 0.0001% 0.5?-cm　（外延） 　1x1018硼