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第 2 期 常 州轻工职业技术学 院学报 　2006 年 6 月 　　　　　　　 Changzhou In stit ut e of Light Indu st ry Technoloy PVD F 压电薄膜传感器的制作研究 赵东升 江苏常州轻工职业技术学院　江苏常州 　2 13 164 　　 〔摘 　要〕:传感器的制作是利用的2 8um 厚的4 层结构的 PVD F 压电薄膜 ,传感器表面电极形状的 制作用了剪切加丙酮腐蚀的方法 ,保证了传感器有一定的非金属化的边缘 。对于电极的引出 ,我们的设 计是将传感器上 、下电极面引脚错开 ,引出电极是我们比较容易做到的穿透式 ,我们用了压接端子压接 和空心小铆钉铆接的两种方法 。 　　 〔关键词〕:PVD F 压电薄膜 　传感器 　制作 Manufactured study of PVD F piezoelectric f il m sensors Zhao Dong - sheng Changzhou In stit ut e of Light Indu st ry t echnolo gy 　　Changzhou J iang su 　　2 13 164 　　 〔A b st ract 〕: The sen sor s are made of 2 8um t hick four - layered PVD F p iezoelect ric film , and t he for m of t he elect ro de i s made t hro ugh cut tin g an d acetone ero ding to en sure a non - met allization edge for t he sen sor . L ead at t achment t echnique s for de signed piezo film sen sor s , The top and bot to m t ab s are off - set wit h re sp ect to each ot her , we u se p enet rative t echnique s ,Rivet s or eyelet s and crimp con nector s can be affixed to t he off - set con ductive t race s on t he p iezo film . 　　 〔Key wor ds 〕:PVD F p iezoelect ric film 　　sen sor 　　manuf act ure 　　0 　引言 g 的值比 PZ T 高 20 倍左右 。 μ 传感器技术是现代科技的前沿技术 ,是现代 2 、柔性和加工性能好 ,可制成 5 m 到 1mm 信息技术的三大支柱之一 ,其水平的高低是衡量 厚度不等 、形状不同的大面积的薄膜 ,因此适于做 一个国家科技发展水平的重要标志之一 。 大面积的传感阵列器件 。 PVD F 是一种新型的高分子聚合物型传感材 3 、声阻抗低 : 为 3 . 5 ×10 - 6 Pa ·s/ m , 仅为 料 。自从 1969 年 Kawai 发现其具有很强的压电 PZ T 压电陶瓷的 1/ 10 ,它的声阻抗与水的、人体 性以后 ,几十年来 ,人们对 PVD F 薄膜的应用研 肌肉的声阻抗很接近 ,并且柔顺性好